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安定導致泵用機械密封腐蝕的原因有哪些?

發布(bu)時間:2021-05-10 16:18:24 人(ren)氣:218495 來源(yuan):

  安定泵用安定機械密封的腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)(shi)技術損壞主要包括(kuo):金(jin)屬(shu)(shu)環腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)(shi)、非金(jin)屬(shu)(shu)環腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)(shi)、輔助密封圈(quan)及其接(jie)觸部位的腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)(shi)。

  一、安定泵用安定機械密封非金屬環侵蝕

  1、聚四氟乙烯(F4)密(mi)封環的(de)侵(qin)蝕。F4填充(chong)如玻璃(li)纖維、石墨(mo)粉、金屬(shu)粉等(deng)以進(jin)步其耐(nai)溫性、耐(nai)磨性。填充(chong)F4環的(de)侵(qin)蝕次要是指(zhi)填充(chong)的(de)抉(jue)擇性侵(qin)蝕、溶出或蛻變毀壞。例如在氫氟酸中,玻璃(li)纖維分子熱侵(qin)蝕,所以填充(chong)何物應視(shi)詳細狀(zhuang)況而定。

  2、石墨環(huan)(huan)侵蝕(shi)。用樹脂(zhi)浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)的不透(tou)性石墨環(huan)(huan),它(ta)的侵蝕(shi)有三(san)個起(qi)因:一是當端面過熱,溫(wen)度(du)大于180oC時,浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)的樹脂(zhi)要(yao)折離石墨環(huan)(huan),使(shi)環(huan)(huan)耐磨性降落(luo);二是浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)的樹脂(zhi)若抉擇(ze)不當,就會在介質中產生化學變(bian)動(dong),也使(shi)耐磨性降落(luo);三(san)是樹脂(zhi)浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)深度(du)不夠,當磨去浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)層后,耐磨性降落(luo)。所(suo)以密封(feng)冷卻零(ling)碎的建設,抉擇(ze)耐蝕(shi)的浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)樹脂(zhi),采用低(di)壓浸(jin)(jin)(jin)漬(zi),減少浸(jin)(jin)(jin)漬(zi)深度(du)是十分(fen)必要(yao)的。

  3、石墨環的氧(yang)化(hua)。在氧(yang)化(hua)性的介(jie)質(zhi)中,端面在干摩擦或冷卻不(bu)良時,發生350~40o℃ 的溫度能使石墨環與氧(yang)產生反饋(kui),發生二(er)氧(yang)化(hua)碳氣體(ti),使端面變(bian)毛(mao)糙,甚至決(jue)裂(lie)。非金屬環在化(hua)學(xue)介(jie)質(zhi)和應力(li)的同時作用下,也會決(jue)裂(lie)。

  二、安定泵用安定機械密封金屬環侵蝕

  1、應(ying)力(li)(li)侵蝕(shi)。金屬在侵蝕(shi)和拉應(ying)力(li)(li)的(de)同時作用(yong)下(xia),首(shou)先在單薄區發生裂痕,進而(er)向縱深倒退,發生決裂,稱為應(ying)力(li)(li)侵蝕(shi)決裂,選用(yong)堆焊硬質合(he)金及鑄鐵、碳(tan)(tan)化鎢、碳(tan)(tan)化鈦等密(mi)封環,容易(yi)呈現應(ying)力(li)(li)侵蝕(shi)決裂。密(mi)封環裂紋個別是徑向發散型的(de),可以是一條或多(duo)條。這些裂痕溝通了整個密(mi)封端(duan)面,減(jian)速了端(duan)面的(de)磨(mo)損,使透露量減(jian)少。

  2、外表侵蝕。假如安定泵用安定機械密封金屬環外表接觸侵蝕介質,而金屬自身又不耐侵蝕,就會發生外表侵蝕,會招致透露、晚期磨損、毀壞、發聲等。安定泵用安定機械密封金屬外表平均(jun)侵蝕(shi)有成膜(mo)和(he)無(wu)膜(mo)兩種狀態(tai),無(wu)膜(mo)的(de)(de)金屬侵蝕(shi)很(hen)風(feng)險,侵蝕(shi)進(jin)程(cheng)以一定的(de)(de)速度(du)停(ting)止,這次要(yao)是選材錯誤形成的(de)(de)。成膜(mo)的(de)(de)侵蝕(shi),其鈍化(hua)膜(mo)通常具(ju)備愛護作用的(de)(de)特性,但金屬密封(feng)環所用的(de)(de)資料,如不(bu)銹鋼、鈷(gu)、鉻合金等其外表的(de)(de)鈍化(hua)膜(mo)在端面磨擦中毀壞(huai),在缺(que)氧條件下新膜(mo)很(hen)難生成,使電偶侵蝕(shi)加劇。