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發布時間:2021-05-10 16:18:24 人氣(qi):197613 來源:
赤峰泵用赤峰機械密封的腐蝕技術(shu)損(sun)壞主(zhu)要包括:金屬環(huan)(huan)腐蝕、非金屬環(huan)(huan)腐蝕、輔(fu)助密封圈及其接觸部(bu)位(wei)的腐蝕。
一、赤峰泵用赤峰機械密封非金屬環侵蝕
1、聚四氟(fu)乙烯(F4)密封(feng)環的(de)侵(qin)蝕(shi)。F4填充如玻璃(li)纖維、石墨(mo)粉(fen)、金屬粉(fen)等(deng)以(yi)進步其耐(nai)溫性(xing)(xing)、耐(nai)磨(mo)性(xing)(xing)。填充F4環的(de)侵(qin)蝕(shi)次(ci)要是(shi)指(zhi)填充的(de)抉擇性(xing)(xing)侵(qin)蝕(shi)、溶出或蛻(tui)變(bian)毀壞。例如在氫(qing)氟(fu)酸中,玻璃(li)纖維分子熱侵(qin)蝕(shi),所以(yi)填充何物應視詳細(xi)狀況而定。
2、石墨(mo)(mo)環侵蝕。用樹(shu)(shu)脂(zhi)浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)的不(bu)透性(xing)石墨(mo)(mo)環,它(ta)的侵蝕有三個起因(yin):一是(shi)當(dang)端面過熱(re),溫度大于180oC時(shi),浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)的樹(shu)(shu)脂(zhi)要折離石墨(mo)(mo)環,使(shi)環耐(nai)磨性(xing)降(jiang)落(luo);二是(shi)浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)的樹(shu)(shu)脂(zhi)若抉(jue)擇不(bu)當(dang),就會在介質中產生化學變(bian)動,也使(shi)耐(nai)磨性(xing)降(jiang)落(luo);三是(shi)樹(shu)(shu)脂(zhi)浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)深度不(bu)夠(gou),當(dang)磨去浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)層后,耐(nai)磨性(xing)降(jiang)落(luo)。所以密封冷卻(que)零(ling)碎的建設,抉(jue)擇耐(nai)蝕的浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)樹(shu)(shu)脂(zhi),采用低壓浸(jin)漬(zi)(zi)(zi),減少浸(jin)漬(zi)(zi)(zi)深度是(shi)十分必(bi)要的。
3、石墨環(huan)的氧(yang)化。在(zai)(zai)氧(yang)化性的介質中,端面(mian)在(zai)(zai)干摩(mo)擦或冷卻不(bu)良時,發生350~40o℃ 的溫度(du)能(neng)使石墨環(huan)與氧(yang)產生反饋,發生二氧(yang)化碳氣(qi)體,使端面(mian)變毛糙,甚至(zhi)決(jue)裂(lie)。非金屬環(huan)在(zai)(zai)化學介質和應力的同時作用下,也會(hui)決(jue)裂(lie)。
二、赤峰泵用赤峰機械密封金屬環侵蝕
1、應力侵蝕(shi)。金屬在(zai)侵蝕(shi)和拉應力的同(tong)時(shi)作(zuo)用下,首先在(zai)單(dan)薄區發生裂痕,進而(er)向(xiang)縱深(shen)倒退,發生決(jue)裂,稱(cheng)為應力侵蝕(shi)決(jue)裂,選用堆焊硬質合金及鑄(zhu)鐵、碳化鎢、碳化鈦(tai)等密封(feng)環,容易呈(cheng)現應力侵蝕(shi)決(jue)裂。密封(feng)環裂紋個別(bie)是(shi)徑向(xiang)發散型(xing)的,可(ke)以是(shi)一條或多條。這些裂痕溝通了(le)整個密封(feng)端面,減速了(le)端面的磨損,使透露量減少。
2、外表侵蝕。假如赤峰泵用赤峰機械密封金屬環外表接觸侵蝕介質,而金屬自身又不耐侵蝕,就會發生外表侵蝕,會招致透露、晚期磨損、毀壞、發聲等。赤峰泵用赤峰機械密封金(jin)(jin)屬(shu)外(wai)表(biao)(biao)平(ping)均侵蝕(shi)有成膜和無(wu)膜兩種狀態,無(wu)膜的(de)金(jin)(jin)屬(shu)侵蝕(shi)很(hen)(hen)風險,侵蝕(shi)進程以一定的(de)速度停止,這次要是(shi)選材(cai)錯誤形成的(de)。成膜的(de)侵蝕(shi),其鈍化(hua)膜通常具備愛護作(zuo)用的(de)特性,但金(jin)(jin)屬(shu)密封(feng)環所用的(de)資(zi)料,如(ru)不銹鋼、鈷、鉻(ge)合金(jin)(jin)等其外(wai)表(biao)(biao)的(de)鈍化(hua)膜在端面磨擦中毀壞,在缺氧條件(jian)下(xia)新(xin)膜很(hen)(hen)難生(sheng)成,使電偶侵蝕(shi)加劇。