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發(fa)布時間:2021-05-10 16:18:24 人氣:197387 來源(yuan):
金堂泵用金堂機械密封的腐蝕(shi)技術損(sun)壞主要包括:金屬(shu)(shu)環腐蝕(shi)、非金屬(shu)(shu)環腐蝕(shi)、輔助密封圈及其(qi)接觸(chu)部位的腐蝕(shi)。
一、金堂泵用金堂機械密封非金屬環侵蝕
1、聚(ju)四(si)氟乙(yi)烯(F4)密封環的侵(qin)蝕(shi)(shi)。F4填(tian)(tian)充如玻(bo)璃纖維、石墨粉、金屬粉等以(yi)進步其耐(nai)溫性(xing)、耐(nai)磨性(xing)。填(tian)(tian)充F4環的侵(qin)蝕(shi)(shi)次要是指填(tian)(tian)充的抉擇性(xing)侵(qin)蝕(shi)(shi)、溶出或蛻變毀壞。例如在(zai)氫氟酸中,玻(bo)璃纖維分子熱侵(qin)蝕(shi)(shi),所以(yi)填(tian)(tian)充何物應視詳細(xi)狀況而定。
2、石墨環(huan)侵(qin)(qin)蝕。用樹脂浸(jin)(jin)漬(zi)的(de)(de)不(bu)(bu)透性石墨環(huan),它的(de)(de)侵(qin)(qin)蝕有三(san)個起因:一是當端面過熱,溫(wen)度大于180oC時(shi),浸(jin)(jin)漬(zi)的(de)(de)樹脂要折(zhe)離石墨環(huan),使環(huan)耐(nai)(nai)磨(mo)性降(jiang)落;二是浸(jin)(jin)漬(zi)的(de)(de)樹脂若抉擇不(bu)(bu)當,就(jiu)會(hui)在介質中產生化學變動(dong),也使耐(nai)(nai)磨(mo)性降(jiang)落;三(san)是樹脂浸(jin)(jin)漬(zi)深度不(bu)(bu)夠(gou),當磨(mo)去浸(jin)(jin)漬(zi)層后,耐(nai)(nai)磨(mo)性降(jiang)落。所以密封(feng)冷卻零(ling)碎的(de)(de)建設,抉擇耐(nai)(nai)蝕的(de)(de)浸(jin)(jin)漬(zi)樹脂,采用低壓浸(jin)(jin)漬(zi),減少浸(jin)(jin)漬(zi)深度是十分必要的(de)(de)。
3、石(shi)墨(mo)(mo)環的(de)氧(yang)化。在(zai)氧(yang)化性的(de)介質中,端(duan)面在(zai)干摩(mo)擦(ca)或冷卻不良時,發(fa)生350~40o℃ 的(de)溫度能使石(shi)墨(mo)(mo)環與氧(yang)產生反饋(kui),發(fa)生二氧(yang)化碳氣(qi)體,使端(duan)面變毛(mao)糙,甚至決裂。非金屬環在(zai)化學介質和應力的(de)同時作用下(xia),也會決裂。
二、金堂泵用金堂機械密封金屬環侵蝕
1、應(ying)力(li)(li)侵(qin)(qin)蝕(shi)(shi)(shi)。金(jin)屬在侵(qin)(qin)蝕(shi)(shi)(shi)和拉(la)應(ying)力(li)(li)的同時作用下,首先在單薄區發(fa)生裂痕,進而向縱深倒退(tui),發(fa)生決裂,稱為應(ying)力(li)(li)侵(qin)(qin)蝕(shi)(shi)(shi)決裂,選用堆焊硬質合金(jin)及鑄鐵、碳化(hua)鎢(wu)、碳化(hua)鈦等密(mi)封環(huan),容易(yi)呈(cheng)現應(ying)力(li)(li)侵(qin)(qin)蝕(shi)(shi)(shi)決裂。密(mi)封環(huan)裂紋個(ge)別是徑(jing)向發(fa)散型的,可以是一條(tiao)或多條(tiao)。這些裂痕溝通了(le)整(zheng)個(ge)密(mi)封端面,減(jian)速了(le)端面的磨(mo)損,使透露量減(jian)少。
2、外表侵蝕。假如金堂泵用金堂機械密封金屬環外表接觸侵蝕介質,而金屬自身又不耐侵蝕,就會發生外表侵蝕,會招致透露、晚期磨損、毀壞、發聲等。金堂泵用金堂機械密封金(jin)屬(shu)外(wai)表平均侵蝕(shi)有(you)成膜和(he)無膜兩種狀態,無膜的金(jin)屬(shu)侵蝕(shi)很風險,侵蝕(shi)進程以一定的速度停止,這(zhe)次要(yao)是選材錯誤形(xing)成的。成膜的侵蝕(shi),其(qi)鈍化膜通(tong)常具備愛護作用的特性,但金(jin)屬(shu)密(mi)封環所用的資料,如不(bu)銹鋼、鈷、鉻(ge)合金(jin)等其(qi)外(wai)表的鈍化膜在(zai)端面磨(mo)擦中毀(hui)壞,在(zai)缺氧條件(jian)下新膜很難生(sheng)成,使(shi)電偶侵蝕(shi)加劇(ju)。