樂至泵用樂至機械密封的腐(fu)蝕(shi)(shi)技術(shu)損壞主要(yao)包括：金(jin)屬環(huan)(huan)腐(fu)蝕(shi)(shi)、非金(jin)屬環(huan)(huan)腐(fu)蝕(shi)(shi)、輔助密封(feng)圈及其接觸部位的腐(fu)蝕(shi)(shi)。

　　一、樂至泵用樂至機械密封非金屬環侵蝕

　　1、聚四氟乙烯(F4)密封環的(de)(de)侵(qin)蝕(shi)。F4填(tian)(tian)充如(ru)玻(bo)璃纖(xian)維(wei)、石墨粉、金屬(shu)粉等以進步其耐(nai)溫性(xing)、耐(nai)磨性(xing)。填(tian)(tian)充F4環的(de)(de)侵(qin)蝕(shi)次要是指填(tian)(tian)充的(de)(de)抉擇(ze)性(xing)侵(qin)蝕(shi)、溶出(chu)或蛻變(bian)毀壞。例(li)如(ru)在氫氟酸(suan)中(zhong)，玻(bo)璃纖(xian)維(wei)分(fen)子熱侵(qin)蝕(shi)，所以填(tian)(tian)充何物應視詳細(xi)狀況而定。

　　2、石(shi)墨(mo)環(huan)(huan)侵蝕(shi)。用樹脂(zhi)(zhi)浸漬(zi)的(de)不(bu)透性(xing)石(shi)墨(mo)環(huan)(huan)，它的(de)侵蝕(shi)有(you)三個(ge)起因：一是(shi)當(dang)端面(mian)過熱，溫(wen)度大于180oC時，浸漬(zi)的(de)樹脂(zhi)(zhi)要折(zhe)離石(shi)墨(mo)環(huan)(huan)，使環(huan)(huan)耐(nai)磨性(xing)降落(luo)；二是(shi)浸漬(zi)的(de)樹脂(zhi)(zhi)若抉擇不(bu)當(dang)，就會在介質中產生化學變動，也(ye)使耐(nai)磨性(xing)降落(luo)；三是(shi)樹脂(zhi)(zhi)浸漬(zi)深度不(bu)夠，當(dang)磨去浸漬(zi)層后，耐(nai)磨性(xing)降落(luo)。所(suo)以密封冷卻(que)零碎的(de)建(jian)設，抉擇耐(nai)蝕(shi)的(de)浸漬(zi)樹脂(zhi)(zhi)，采用低壓浸漬(zi)，減少浸漬(zi)深度是(shi)十分必要的(de)。

　　3、石墨(mo)環(huan)(huan)(huan)的氧化(hua)(hua)。在(zai)(zai)氧化(hua)(hua)性的介質中，端面在(zai)(zai)干摩擦或冷卻不良時，發生350～40o℃ 的溫(wen)度能使石墨(mo)環(huan)(huan)(huan)與(yu)氧產生反饋，發生二氧化(hua)(hua)碳氣體，使端面變毛糙，甚(shen)至決裂。非金屬環(huan)(huan)(huan)在(zai)(zai)化(hua)(hua)學介質和應力(li)的同時作(zuo)用下，也會決裂。

　　二、樂至泵用樂至機械密封金屬環侵蝕

　　1、應(ying)力侵蝕。金(jin)屬在侵蝕和(he)拉應(ying)力的同時作用(yong)下，首先在單薄區(qu)發(fa)生(sheng)裂痕，進而(er)向縱深倒(dao)退，發(fa)生(sheng)決(jue)裂，稱(cheng)為應(ying)力侵蝕決(jue)裂，選用(yong)堆(dui)焊硬質合(he)金(jin)及鑄鐵、碳化(hua)鎢、碳化(hua)鈦(tai)等密(mi)封環，容易呈(cheng)現應(ying)力侵蝕決(jue)裂。密(mi)封環裂紋個別是徑(jing)向發(fa)散(san)型(xing)的，可以是一條或多條。這些(xie)裂痕溝(gou)通(tong)了(le)整個密(mi)封端面，減速了(le)端面的磨(mo)損，使透露量減少(shao)。

　　2、外表侵蝕。假如樂至泵用樂至機械密封金屬環外表接觸侵蝕介質，而金屬自身又不耐侵蝕，就會發生外表侵蝕，會招致透露、晚期磨損、毀壞、發聲等。樂至泵用樂至機械密封金屬(shu)外表平均侵(qin)(qin)蝕有成膜(mo)和無膜(mo)兩種狀(zhuang)態，無膜(mo)的金屬(shu)侵(qin)(qin)蝕很(hen)(hen)風險，侵(qin)(qin)蝕進程以一定的速度停止(zhi)，這次要是選材錯誤形(xing)成的。成膜(mo)的侵(qin)(qin)蝕，其(qi)鈍化膜(mo)通常具(ju)備(bei)愛護作用(yong)的特性，但金屬(shu)密封環所用(yong)的資(zi)料(liao)，如(ru)不銹鋼、鈷、鉻合金等(deng)其(qi)外表的鈍化膜(mo)在端面磨擦中毀壞，在缺(que)氧條件下新膜(mo)很(hen)(hen)難生(sheng)成，使電偶侵(qin)(qin)蝕加劇。