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發布時(shi)間(jian):2021-05-10 16:18:24 人氣:216900 來源:
堯都泵用堯都機械密封的腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)技(ji)術損壞主(zhu)要包(bao)括:金(jin)屬環腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)、非金(jin)屬環腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)、輔助密封圈及其接觸部位的腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)。
一、堯都泵用堯都機械密封非金屬環侵蝕
1、聚四(si)氟(fu)乙烯(xi)(F4)密封環(huan)的侵蝕(shi)。F4填充如(ru)玻璃(li)纖(xian)維、石墨粉、金屬粉等以進(jin)步其耐(nai)溫性、耐(nai)磨性。填充F4環(huan)的侵蝕(shi)次(ci)要是指(zhi)填充的抉擇性侵蝕(shi)、溶出或蛻變毀壞。例如(ru)在氫氟(fu)酸(suan)中,玻璃(li)纖(xian)維分子(zi)熱侵蝕(shi),所以填充何物應視詳細(xi)狀況而定(ding)。
2、石(shi)墨環(huan)侵蝕(shi)。用(yong)(yong)樹脂(zhi)浸漬的(de)(de)(de)不(bu)透性(xing)石(shi)墨環(huan),它的(de)(de)(de)侵蝕(shi)有三個起因(yin):一是(shi)當端面過熱,溫度(du)大于180oC時,浸漬的(de)(de)(de)樹脂(zhi)要(yao)折離石(shi)墨環(huan),使環(huan)耐(nai)(nai)(nai)磨性(xing)降(jiang)落;二(er)是(shi)浸漬的(de)(de)(de)樹脂(zhi)若抉擇不(bu)當,就會在介質(zhi)中產(chan)生化學變動,也使耐(nai)(nai)(nai)磨性(xing)降(jiang)落;三是(shi)樹脂(zhi)浸漬深度(du)不(bu)夠,當磨去浸漬層后(hou),耐(nai)(nai)(nai)磨性(xing)降(jiang)落。所以密封冷卻零(ling)碎的(de)(de)(de)建設,抉擇耐(nai)(nai)(nai)蝕(shi)的(de)(de)(de)浸漬樹脂(zhi),采(cai)用(yong)(yong)低壓(ya)浸漬,減少(shao)浸漬深度(du)是(shi)十分必要(yao)的(de)(de)(de)。
3、石墨環(huan)的(de)氧化。在氧化性的(de)介質(zhi)中,端面(mian)在干(gan)摩擦或(huo)冷卻不(bu)良時,發生350~40o℃ 的(de)溫度能使石墨環(huan)與氧產生反饋,發生二氧化碳氣體,使端面(mian)變毛(mao)糙,甚至決裂(lie)。非金屬環(huan)在化學介質(zhi)和應力的(de)同時作用下,也會決裂(lie)。
二、堯都泵用堯都機械密封金屬環侵蝕
1、應力侵(qin)蝕(shi)(shi)。金屬在侵(qin)蝕(shi)(shi)和(he)拉應力的(de)同(tong)時作用下,首先在單薄區發(fa)生裂(lie)(lie)痕,進(jin)而(er)向縱深倒退,發(fa)生決裂(lie)(lie),稱為(wei)應力侵(qin)蝕(shi)(shi)決裂(lie)(lie),選用堆焊硬質合金及(ji)鑄(zhu)鐵、碳化鎢、碳化鈦等密(mi)封(feng)環,容易呈現(xian)應力侵(qin)蝕(shi)(shi)決裂(lie)(lie)。密(mi)封(feng)環裂(lie)(lie)紋個(ge)別是徑向發(fa)散型(xing)的(de),可以是一條或多條。這些裂(lie)(lie)痕溝通(tong)了(le)整個(ge)密(mi)封(feng)端(duan)(duan)面,減速(su)了(le)端(duan)(duan)面的(de)磨損,使(shi)透露量減少。
2、外表侵蝕。假如堯都泵用堯都機械密封金屬環外表接觸侵蝕介質,而金屬自身又不耐侵蝕,就會發生外表侵蝕,會招致透露、晚期磨損、毀壞、發聲等。堯都泵用堯都機械密封金(jin)屬外表平均侵(qin)(qin)蝕有成(cheng)膜(mo)和無膜(mo)兩種狀(zhuang)態,無膜(mo)的(de)金(jin)屬侵(qin)(qin)蝕很(hen)風險,侵(qin)(qin)蝕進程以一定(ding)的(de)速度停止,這次要是(shi)選材錯誤形成(cheng)的(de)。成(cheng)膜(mo)的(de)侵(qin)(qin)蝕,其鈍化(hua)膜(mo)通常具備愛護作用(yong)的(de)特性,但(dan)金(jin)屬密(mi)封環所用(yong)的(de)資料,如不銹鋼、鈷、鉻合金(jin)等其外表的(de)鈍化(hua)膜(mo)在端(duan)面磨擦中(zhong)毀壞(huai),在缺氧條(tiao)件下新膜(mo)很(hen)難生成(cheng),使電偶(ou)侵(qin)(qin)蝕加劇。